YVO4晶體在可見光及近紅外波段有杰出的透光性，透光規(guī)模較寬，硬度較高，可人工生長出大塊優(yōu)質晶體，而且易于加工，價格較低，是光通信無源器材如光隔離器、旋光器、延遲器、偏振器中的關鍵資料。

　　YVO4晶體(n。=2.02,ng=2.25,532 nm)相比KDP(n。=1.51,n。=1.47,532nm)及其他光學晶體各向異性更強，負折射相關角度更大。為確認YVO4晶體的負折射與應用，本文詳細分析YVO4晶體光軸取向不一起空氣與晶體的界面上e光負折射的最大入射角與出射角規(guī)模及其與光軸角的關系，并分析e光在孿晶界面上的偏折特征。

　　單軸晶體的介電常數(shù)6=6,≠6，激光從均勻介質入射到單軸晶體界面時o光和e光傳輸速度不同導致雙折射現(xiàn)象，o光遵從Snell定理，e光與光軸方向夾角不一起折射率不同不遵從Snell定理。雙折射表現(xiàn)為o、e光相位或許出射方向的不同。自勻稱的介質向單軸晶體界面入射時，入射角在一定規(guī)模內，e光會出現(xiàn)負折射現(xiàn)象。負折射的臨界入射角較大值和較大負折射角，數(shù)值都取決于雙折射率△n=n。-n,,且△n越大臨界入射角和最大負折射角越大。

　　自然光入射到空氣和單軸晶體界面，觀察到o光、e光兩條折射光線，均為正折射，調整入射角度能夠觀察到折射e光和入射光在法線同一側的負折射狀況。YVO4晶體用于觀察丈量以上雙折射及負折射特性，鑒于e光在單軸晶體中的特殊狀況，也可用多塊單軸晶體恰當組合規(guī)劃成相應的e光導波器材。